ምርቶች

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 የ5SHY ተከታታዮች የሆነ የABB የተቀናጀ በር-ተላላፊ thyristor (IGCT) ምርት ነው።

IGCT በ1990ዎቹ መገባደጃ ላይ የታየ ​​አዲስ የኤሌክትሮኒክስ መሳሪያ ነው።

የ IGBT (insulated gate bipolar transistor) እና GTO (የበር ማጥፋት thyristor) ጥቅሞችን ያጣምራል እና ፈጣን የመቀያየር ፍጥነት፣ ትልቅ አቅም እና ትልቅ የሚፈለግ የመንዳት ሃይል አለው።

በተለይም የ 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 አቅም ከጂቲኦ ጋር እኩል ነው ነገርግን የመቀያየር ፍጥነቱ ከጂቲኦ በ10 እጥፍ ፈጣን ነው ይህ ማለት በአጭር ጊዜ ውስጥ የመቀያየር ስራውን ማጠናቀቅ እና የሃይል ልወጣ ቅልጥፍናን ማሻሻል ይችላል።

በተጨማሪም, ከ GTO ጋር ሲነጻጸር, IGCT የስርዓቱን ንድፍ ለማቃለል እና ወጪዎችን ለመቀነስ የሚረዳውን ግዙፍ እና ውስብስብ የሆነውን የ snubber ወረዳን ማዳን ይችላል.

ይሁን እንጂ IGCT ብዙ ጥቅሞች ቢኖረውም የሚፈለገው የመንዳት ኃይል አሁንም ትልቅ መሆኑን ልብ ሊባል ይገባል.

ይህ የስርዓቱን የኃይል ፍጆታ እና ውስብስብነት ሊጨምር ይችላል. በተጨማሪም፣ IGCT በከፍተኛ ሃይል አፕሊኬሽኖች GTOን ለመተካት እየሞከረ ቢሆንም፣ አሁንም ከሌሎች አዳዲስ መሳሪያዎች (እንደ IGBT) ከፍተኛ ፉክክር እየገጠመው ነው።

5SHY4045L00013BHB018162R0001 የተቀናጀ በር የተለዋዋጭ ትራንዚስተሮች|ጂሲቲ (የተቀጣጣይ በር የተለዋዋጭ ትራንዚስተሮች) በ1996 ለወጣ ግዙፍ ሃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ጥቅም ላይ የዋለ አዲስ የሃይል ሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ነው።

IGCT በGTO መዋቅር ላይ የተመሰረተ አዲስ ከፍተኛ ሃይል ሴሚኮንዳክተር መቀየሪያ መሳሪያ ነው ለበር ሃርድ ድራይቭ የተቀናጀ የበር መዋቅርን በመጠቀም የቋት መካከለኛ ንብርብር መዋቅር እና የአኖድ ግልፅ ኢሚተር ቴክኖሎጂን በመጠቀም የ thyristor ላይ-ግዛት ባህሪያት እና ትራንዚስተር የመቀያየር ባህሪያት.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 የመጠባበቂያ መዋቅር እና ጥልቀት የሌለው ኢሚተር ቴክኖሎጂን ይጠቀማል ይህም ተለዋዋጭ ኪሳራን በ 50% ይቀንሳል.

በተጨማሪም, መሣሪያዎች የዚህ አይነት ደግሞ ቺፕ ላይ ጥሩ ተለዋዋጭ ባህርያት ጋር freewheeling diode ያዋህዳል, እና ከዚያም ዝቅተኛ ላይ-ግዛት ቮልቴጅ ጠብታ, ከፍተኛ ማገጃ ቮልቴጅ እና thyristor መካከል የተረጋጋ መቀያየርን ባህሪያት ያለውን ኦርጋኒክ ጥምረት ልዩ መንገድ ይገነዘባል.